英飞凌用体硅工艺制造出来的晶体管和晶体管逻辑器件在集成能力上是最好的，与砷化镓和氮化镓相比，这套工艺不需要额外的氧化层，也不需要不同的材料作为晶圆加工的一部分，这意味着生产成本可以控制在非常低的水平，而且也能实现电路板板上空间受限的设计，这是一种制造成本低、性能较高和具备不错低功耗性能的成熟技术。【←八【←八【←读【←书，.2↘

现阶段来说中晶微掌握得最好的工艺技术是FinFet工艺，在传统的金属氧化物半导体结构晶体管和晶体管逻辑器件上的工艺还是欠缺些，这方面万国商业机器公司和英特尔德州仪器这样的传统晶圆大厂在这方面有着大量的技术专利，形成了无比坚固的专利壁垒。

而且这些公司这么多年来不断地在传统的架构上进行改良，其中就包括利用高K电介质减少漏电，再一个就是利用了应变硅技术，还有利用金属栅极应对多元消耗的技术。

英特尔这方面技术是做得最好的，现在已经是开始将高K电介质和金属栅极技术引入了自己45纳米工艺制程节点。

谭云松带领的技术团队在加入中晶微后主攻的方向是FinFet和soi这两种工艺，因为这两种工艺都是新结构，受国外的技术限制少，但也不意味着公司就没有在传统的金属氧化物半导体结构工艺上下功夫。

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