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第0064章 位错理论体系

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什么是位错?

众所周知,晶体的实际强度远低于其理论强度。

所谓晶体的实际强度就是实验测得的单晶体的临界分切应力,这个值一般在10-4~10-8G,G是晶体的剪切模量。而理论强度则是按完整晶体刚性滑移模型计算的强度。

以前人们认可晶体刚性滑移模型,但是后来发现,晶体的理论强度比实际强度至少高三个量级。

理论强度和实际强度的巨大差别,迫使人们放弃完整晶体的刚性滑模型。

人们推测晶体中一定存在着某种缺陷,它不仅引起应力集中,而且缺陷区内的原子处于不稳定状态,因而很容易运动。

这样一来,晶体的滑移过程就是首先在缺陷去发生局部滑移,然后局部滑移区不断扩大。

而这种引起局部滑移的缺陷,就叫做位错!

看起来位错仅仅只是材料中的一点点缺陷而已,但事实上它的作用非常大,继续研究下去可以说是一个深不见底的课题。

位错影响晶体的加工硬化,金属灰退火软化也和位错有关,位错能够使晶体的弹性模量减小、内耗增大,影响合金的强化等等。

如果能够控制位错,那么就能够大大提升晶体的实际强度,拉近其和理论强度的差距。

这,便是慕景池现在的科研道路。

正如这些硕士研究生所想,位错着实十分的复杂,而且其研究的是原子的运动。原子根本不可能受人为的操控,所以位错既复杂也困难。

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